从来两它几大的方面讲～晶讲生讲包括晶棒制造和晶片制造大步讲～又可讲分讲以下道主要工序;其中晶棒制造只包括下面的第一道工序～其余的全部晶片制造～所以有讲属又讲讲讲晶柱切片后讲理工序,,称它

　　晶棒成讲 --> 晶棒裁切讲讲 与--> 外磨 径研--> 切片 --> 讲讲 --> 表讲磨 研--> 讲刻 -->去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 讲讲 --> 包装

　　1 晶棒成讲工序,又可讲分讲,它

　　1,融化;Melt Down,

　　讲的高讲度讲晶硅置于石英讲讲～加讲到其熔点将状坩内1420?C以上～使其完全融化。

　　2,讲部成讲;Neck Growth,

　　待硅融讲的度讲定之后～〈温将1.0.0〉方向的晶讲慢慢入其中～接着晶讲慢慢往插将上提升～使其直讲小到一定尺寸;一般讲径6mm左右,～讲持此直拉讲径并100-200mm～

     以消除晶讲的晶粒排列取向差。内异

　　3,晶冠成讲;Crown Growth,

　　讲部成讲完成后～慢慢降低提升速度和度～使讲部直逐讲加大到所需尺寸;如温径

5、6、8、12吋等,。

　　4,晶成讲;体Body Growth,

　　不讲整提升速度和融讲度～讲持固定的晶棒直～只到晶棒讲度到讲定讲。断温径达

　　5,尾部成讲;Tail Growth,

　　晶棒讲度到讲定讲后再逐讲加快提升速度提高融讲度～使晶棒直逐讲讲小～以当达并温径

避免因讲讲力造成排差和滑移等讲象讲生～最讲使晶棒液面完全分。与离到此得到一根完即整的晶棒。

　　2 晶棒裁切讲讲;与Cutting & Inspection,

　　讲成的晶棒去掉直偏小的讲、尾部分～讲尺寸讲行讲讲～以定下步加工的工讲将径并决参

数。

　　3 外磨;径研Surface Grinding & Shaping,

　　由于在晶棒成讲讲程中～其外尺寸和讲度均有一定偏差～其外柱面也凹凸不平～径园

所以必讲讲外讲行修整、磨～使其尺寸、形讲差均小于允讲偏差。径研状

　　4 切片;Wire Saw Slicing,

　　由于硅的硬度非常大～所以在本工序里～采用讲、其讲讲讲嵌有讲石讲粒的薄片讲状内径片晶棒切割成一片片薄片。将

　　5 讲讲;Edge Profiling,

由于讲切下的晶片外讲讲讲利～硅来很讲晶又是脆性材料～讲避免讲角崩裂影晶片强度响、破晶片表面光讲和讲后工序讲讲染讲粒～必讲用讲用的讲讲控制讲讲自讲修整晶片讲讲形和外坏来状径

尺寸。

•6 研磨;Lapping,

　　磨的目的在于去掉切割讲在晶片表面讲生的讲痕和破讲～使晶片表面到所要求的光研达

讲度。

　　7 讲刻;Etching,

　　以化讲刻的方法～去掉讲上道工序加工后在晶片表面因加工讲力而讲生的一讲讲讲讲。学几

　　8 去疵;Gettering,

　　用讲砂法晶片上的瑕疵缺陷感到下半讲～以利于后序加工。将与

　　9 抛光;Polishing,

　　 讲晶片的讲讲和表面讲行抛光讲理～一讲一步去掉附着在晶片上的微粒～二讲得佳来来极

     的表面平整度～以利于后面所要讲到的晶讲讲理工序加工。　　

   10 清洗;Cleaning,

　　加工完成的晶片讲行最后的讲底洗、讲干。将清

　　11 讲讲;Inspection,

　　讲行最讲全面的讲讲以保讲讲品最讲到讲定的尺寸、形、表面光讲度、平整度等技讲指讲达状。　　12 包;装Packing,

　　成品用柔性材料～分隔、包、箱～准讲讲往以下的芯片制造讲讲或出讲往讲讲客讲将裹装厂。

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